大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)学生级和届怎么区分，毕业的级和届怎么区分咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一(学生级和届怎么区分，毕业的级和届怎么区分yī)大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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